中芯国际宣布背照式CMOS传感器开发取得突破

　　北京时间12月20日晚间消息，中芯国际(NYSE：SMI)宣布，该公司在背照式CMOS图像传感器的开发中取得突破，第一款测试芯片即使是在弱光环境下也能取得不错的图像效果。

　　这一背照式处理技术为中芯国际独立开发，将提供给高端手机的摄像头。中芯国际将于2013年与合作伙伴一起生产这款芯片。中芯国际在背照式处理技术方面的成功将扩大该公司的CMOS图像传感器产品线，包括500万或更高像素的手机摄像头，以及高性能视频摄像头。

　　相对于前照式CMOS图像传感器，背照式传感器有着更高的光敏性，有助于智能手机在黑暗中或室内拍摄出亮度更高、更清晰的照片。在推动背照式CMOS图像传感器量产的同时，中芯国际将很快开始开发下一代基于3D集成电路的CMOS图像传感器技术。